7月21日,三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作,在此前已开展DRAM、高带宽内存(HBM)及晶圆代工合作的基础上,进一步深化存储芯片供应关系。消息称,三星已开始量产第十代V-NAND(V10)并向英伟达供货,同时扩大第九代V-NAND(V9)产能,并推进第十一代500层级V-NAND(V11)开发。据悉,三星目前已具备月产超过10万片V-NAND的产能,其中约60%产能分配给V9产品。
7月21日,三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作,在此前已开展DRAM、高带宽内存(HBM)及晶圆代工合作的基础上,进一步深化存储芯片供应关系。消息称,三星已开始量产第十代V-NAND(V10)并向英伟达供货,同时扩大第九代V-NAND(V9)产能,并推进第十一代500层级V-NAND(V11)开发。据悉,三星目前已具备月产超过10万片V-NAND的产能,其中约60%产能分配给V9产品。
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