7月9日,据市场消息,三星电子、SK海力士原计划在HBM4用混合键合技术,但目前正在重新考虑。混合键合属于半导体先进封装技术,业内预计最早用于16层HBM4E。两家公司据悉决定继续用传统热压键合技术,因行业放宽HBM厚度标准、客户高堆栈需求延迟调整计划。
7月9日,据市场消息,三星电子、SK海力士原计划在HBM4用混合键合技术,但目前正在重新考虑。混合键合属于半导体先进封装技术,业内预计最早用于16层HBM4E。两家公司据悉决定继续用传统热压键合技术,因行业放宽HBM厚度标准、客户高堆栈需求延迟调整计划。
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