据《首尔经济日报》报道，三星电子正按英伟达要求开发 8 层 HBM4E 产品，用于英伟达定制高带宽存储器 NVHBM。英伟达要求目标速度为 17 至 18Gbps，较三星早期 HBM4E 样品的 14.4Gbps 提高约 20%。8 层设计可降低堆叠难度并提升供应能力，NVHBM 可能从明年推出的 Rubin Ultra AI GPU 开始应用。Rubin Ultra 的 GPU 互连规模将由 72 颗增加至最多 576 颗。
据《首尔经济日报》报道，三星电子正按英伟达要求开发 8 层 HBM4E 产品，用于英伟达定制高带宽存储器 NVHBM。英伟达要求目标速度为 17 至 18Gbps，较三星早期 HBM4E 样品的 14.4Gbps 提高约 20%。8 层设计可降低堆叠难度并提升供应能力，NVHBM 可能从明年推出的 Rubin Ultra AI GPU 开始应用。Rubin Ultra 的 GPU 互连规模将由 72 颗增加至最多 576 颗。
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